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鐵電存儲器的基本存儲單元的構(gòu)成

日期:2021-01-29瀏覽:2041次

鐵電存儲器的基本存儲單元一般有兩結(jié)構(gòu),分別為 1T1COne transistor one capacitance)結(jié)構(gòu)和 2T2C Two transistor two capacitance)結(jié)構(gòu),如圖 2-3 所 示。前者使用一個晶體管及一個鐵電電容組成一個存儲單元,而后者則各為兩個。1T1C 結(jié)構(gòu)的優(yōu)點是能夠大的節(jié)省存儲單元所占芯片面積,但是該結(jié)構(gòu)會導致陣列中位線(Bit Line)的電壓差變低,讀出時對靈敏放大器的要求會更高;2T2C 結(jié)構(gòu)雖然會使用更大的面積,但是由于每個存儲單元都含有兩個鐵電電容,其陣列中兩根位線上的電壓差會更大,讀出時性會更高。

 

在本文中,我們采用 2T2C 型存儲單元作為我們設(shè)計的鐵電存儲器的基本存儲單元。2T2C 結(jié)構(gòu)由兩個晶體管和兩個鐵電電容組成,其連接方式如圖 2-3 右圖所示,該存儲單元包含 根與外部連接的信號。其中 WLWord Line)為字線,連接到兩個晶體管的柵極,用于控制兩個 NMOS 晶體管的開關(guān);BL、BLN 為位線,用于向存儲單元中寫入或讀出數(shù)據(jù);PLPlate ine)為板線,連接到鐵電電容的一極,用于給鐵電電容充電使其極化;Fcap1 與 Fcap2 是兩個鐵電電容,其一極共同連接至 PL,另一極分別與兩個 NMOS 相連,當 WL 開啟時,這一極便可以與位線導通。

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